特許
J-GLOBAL ID：200903053150598984

被処理部材の保管方法およびパターン形成方法、デバイス、並びにデバイスの製造方法

発明者：
森 義明

森 義明 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-081215
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282559
出願日： 2002年03月22日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の製造工程において、製造装置の故障等により処理工程を中断しなければならない場合等において、処理途中の半導体装置を一時的に保管する際に、半導体装置が変質することなく保管することが可能な被処理部材保管方法およびパターン形成方法を提供する。【解決手段】 同一の被処理部材に対して複数回パターン形成を行うパターン形成方法であって、前記被処理部材の表面を化学的に安定な撥液性の保護膜で覆って保管可能とする第1の工程と、前記被処理部材のパターンを形成する位置に対応した部分の前記保護膜を除去する第2の工程と、前記保護膜を除去した部分に液状パターン材を供給して固化する第3の工程と、前記被処理部材の表面に存在する前記保護膜を除去する第4の工程とを行う。そして、前記第1の工程ないし前記第4の工程を順次繰り返すとともに、前記被処理部材を保管する場合、前記第1の工程の終了後に行うことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
被処理部材の表面を撥液性の保護膜で覆うことにより前記被処理部材を保管することを特徴とする被処理部材の保管方法。
IPC (5件)：
H01L 21/312 ,  G03F 7/38 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/3205
FI (5件)：
H01L 21/312 Z ,  G03F 7/38 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/288 Z ,  H01L 21/88 B
Fターム (43件)：
2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096LA21 ,  2H096LA30 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD20 ,  4M104DD51 ,  4M104DD75 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104FF21 ,  4M104GG09 ,  4M104HH20 ,  5F033HH03 ,  5F033HH08 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK01 ,  5F033KK03 ,  5F033NN19 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ54 ,  5F033RR04 ,  5F033RR24 ,  5F033SS01 ,  5F033SS13 ,  5F033SS15 ,  5F033SS21 ,  5F033VV06 ,  5F033XX00 ,  5F033XX18 ,  5F058AA10 ,  5F058AC05 ,  5F058AF02 ,  5F058AH01
引用特許：
審査官引用 (8件)
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