特許

J-GLOBAL ID：200903053155237629

電磁弁駆動装置

発明者： 河野 弘三 ,  大塚 益弘
出願人/特許権者： 株式会社ゼクセル
代理人 (1件)： 高野 昌俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-195213
公開番号（公開出願番号）：特開平10-026245
出願日： 1996年07月08日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：

【要約】【課題】 電磁弁駆動用のハイサイドスイッチのオン、オフ制御を高電圧で効率よく行うことができるようにした電磁弁駆動装置を提供すること。【解決手段】 直流電源21から電力の供給を受け昇圧して高圧電圧VPを得る昇圧回路23と、高圧電圧VPを電磁弁SVのソレノイドコイル21へ印加するのを制御するための電界効果トランジスタ24と、コンデンサ41とを有し、直流電源22と昇圧回路23とによってコンデンサ41に電界効果トランジスタ24のオン、オフ制御用の制御用高圧電圧VCPを充電しておき、所要のタイミングで電界効果トランジスタ24のゲート電極に印加するようにした。このコンデンサ41は、ソレノイドコイル21に誘起する負電圧を利用して充電するようにしてもよい。

請求項（抜粋）：

電磁弁を駆動するための電磁弁駆動装置において、直流電源と、該直流電源から電力の供給を受け該直流電源の出力電圧を昇圧して高圧電圧を得る昇圧回路と、該高圧電圧を前記電磁弁のソレノイドコイルへ印加するのを制御するための半導体スイッチング素子として前記電磁弁のハイサイドに設けられたNチャンネル型電界効果トランジスタ又はNPN型トランジスタと、コンデンサを含み、前記直流電源と前記昇圧回路とによって該コンデンサに前記半導体スイッチング素子のオン、オフ制御用の制御用高圧電圧を充電しておくための高圧電圧蓄積回路と、該制御用高圧電圧を所要のタイミングで前記半導体スイッチング素子の制御電極に印加するためのスイッチング回路とを備えたことを特徴とする電磁弁駆動装置。

IPC (2件)：

F16K 31/06 310 ,  H01F 7/18

FI (2件)：

F16K 31/06 310 A ,  H01F 7/18 R