高速で、不揮発性の電気的にプログラム可能で、かつ消去可能なセルおよび方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-528427
公開番号（公開出願番号）：特表平9-512658
出願日： 1995年04月28日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：

【要約】不揮発性のプログラマブル回路は、プログラミングビット線(PBL;36)と、読取ビット線(RBL;37)と、不揮発性メモリセル(30)と、読取選択トランジスタ(34)と、その動作のための方法とを有する。不揮発性メモリセルは、プログラミングビット線を通してプログラム可能である。読取選択トランジスタは、不揮発性メモリセルと読取ビット線との間に接続される。読取動作の間、プログラミングビット線は接地され、プログラムされた情報は読取ビット線上で読取可能である。プログラミング動作の間、読取ビット線は接地され、プログラムされた情報は、記憶および保持するために不揮発性メモリセルの中にプログラム可能である。

請求項（抜粋）：

不揮発性プログラマブル回路であって、 (a) 不揮発性メモリセルをプログラミングするためのプログラミングビット線と、 (b) 前記不揮発性メモリセルの内容を読取るための読取ビット線とを備え、 (c) 前記不揮発性メモリセルは、電界効果トランジスタ型のフローティングゲートトランジスタであって、互いに間隔をあけられた1つおよび唯一のソース領域と、1つおよび唯一のドレイン領域とを有し、前記ドレイン領域上に薄いトンネル酸化物パッチが生成され前記間隔のあけられたソース領域とドレイン領域との間の区域上および前記トンネル酸化物パッチを含めた前記ドレイン領域の一部分上に第1のポリシリコン層が堆積され、前記第1のポリシリコン層は、前記トンネル酸化物パッチを除いた前記第1のポリシリコン層下の第1の酸化物層を有して、前記電界効果デバイスのフローティングゲートを形成し、前記デバイスは、前記第1のポリシリコン層上および第2のポリシリコン層下の、第2の酸化物層を有して、前記第1のポリシリコン層上に堆積される制御ゲートを形成する、第2のポリシリコン層をさらに有し、前記フローティングゲートトランジスタの前記ドレイン領域は、前記プログラミングビット線に接続され、前記不揮発性メモリセルは、前記プログラミングビット線からのプログラムされた情報を保持するのに有効であり、さらに (d) 前記不揮発性メモリセルを前記読取ビット線に選択的に接続するための読取選択手段を備え、前記読取選択手段は、前記不揮発性メモリセルの前記フローティングゲートトランジスタの前記ソース領域と前記読取ビット線との間で直列に接続され、前記読取選択手段は、前記フローティングゲートトランジスタの前記制御ゲートと協働して、前記不揮発性メモリセルおよび前記読取選択手段を通る電流の通過を制御するための制御ゲートを有し、前記読取選択手段は、その制御ゲートにある読取信号に応答して、前記メモリセルの読取を可能にするのに有効である、不揮発性プログラマブル回路。

IPC (5件)：

G11C 16/04 , H01L 21/8247 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4件)：

G11C 17/00 623 B , G11C 17/00 623 A , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

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