特許
J-GLOBAL ID：200903053161837999

ホウ素でドープされたシリコン膜の形成方法

発明者：
松木 安生

松木 安生 について

, 
横山 泰明

横山 泰明 について

, 
竹内 安正

竹内 安正 について


出願人/特許権者：
ジェイエスアール株式会社

ジェイエスアール株式会社 について


代理人 (1件)： 大島 正孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-291393
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100576
出願日： 2000年09月26日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 一段で且つ、簡単な操作や装置で、基体上にホウ素でドープされたシリコン膜を、効率的に例えば高い歩留りや大きい形成速度で形成することのできる方法を提供する。【解決手段】 シクロペンタシランおよびシリルシクロペンタシランよりなる群から選ばれる少なくとも1種のシリコン化合物並びにボラン・ジメチルスルフィド錯体を、不活性有機媒体蒸気の存在下に加熱管2に流し、熱分解せしめて基体上にシリコン膜を形成する。
請求項（抜粋）：
下記式(1)SixHy ...(1)ここで、xは3〜12の数でありそしてyは2x-2乃至2x+2の数である、で表される化合物および下記式(2)SinHn ...(2)ここで、nは6〜12の数である、で表される化合物よりなる群から選ばれる少なくとも1種のシリコン化合物並びにボラン・スルフィド錯体を、不活性有機媒体蒸気の存在下に、熱分解せしめることを特徴とする基体上にホウ素でドープされたシリコン膜を形成する方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ,  C01B 33/029 ,  C23C 16/40 ,  H01L 31/04
FI (4件)：
H01L 21/205 ,  C01B 33/029 ,  C23C 16/40 ,  H01L 31/04 V
Fターム (38件)：
4G072AA02 ,  4G072BB09 ,  4G072GG03 ,  4G072HH03 ,  4G072JJ47 ,  4G072LL15 ,  4G072RR01 ,  4G072RR11 ,  4K030AA06 ,  4K030AA18 ,  4K030AA20 ,  4K030BA29 ,  4K030BA30 ,  4K030BB03 ,  4K030CA06 ,  4K030CA07 ,  4K030DA08 ,  4K030DA09 ,  4K030FA10 ,  4K030LA16 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC19 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AE29 ,  5F045AF07 ,  5F045BB16 ,  5F045BB20 ,  5F045CA13 ,  5F045HA08 ,  5F051AA05 ,  5F051AA16 ,  5F051CA07 ,  5F051CA20
引用特許：
出願人引用 (6件)
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