特許

J-GLOBAL ID：200903053162356277

レーザーエッチング方法

発明者： 黒田 雅博 ,  宇田 和孝 ,  竹内 良昭 ,  山内 康弘
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 高橋 昌久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-229884
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043605
出願日： 2000年07月28日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：

【要約】【課題】 従来のレーザースクライビング法が本質的に齎す欠点を克服して、素子特性を劣化させない光電変換効率のすぐれた光電変換装置を与える、レーザーエッチング法、さらには、前記特性を備え、且つ加工速度の高いレーザーエッチング法の提供。【解決手段】 透明電極膜、非晶質半導体膜もしくは金属電極膜にレーザービームを照射して該膜を平面において分離するための分離溝を形成する方法において、該膜上の照射部のレーザービーム強度分布を分離溝方向とこれに直角方向で異ならせ、分離溝方向はガウス分布とし、分離溝方向に直角な方向は略矩形分布とする。

請求項（抜粋）：

透明基板上に導電性透明電極膜、非晶質半導体膜、金属電極膜の積層膜を有し、モジュール単位に基板上で分離され且つ該分離されたモジュールが基板上で直列に接続された光起電力装置の製造方法において、透明電極膜、非晶質半導体膜もしくは金属電極膜にレーザービームを照射して該膜を平面において分離するための分離溝を形成する方法であって、該膜上の照射部のレーザービーム強度分布を分離溝方向とこれに直角方向で異ならせ、分離溝方向はガウス分布とし、分離溝方向に直角な方向は略矩形分布とすることを特徴とするレーザーエッチング方法。

IPC (6件)：

H01L 31/04 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/06 ,  H01L 21/302 ,  H01S 3/00 ,  B23K101:36

FI (6件)：

B23K 26/00 C ,  B23K 26/06 E ,  H01S 3/00 B ,  B23K101:36 ,  H01L 31/04 S ,  H01L 21/302 Z

Fターム (24件)：

4E068AC00 ,  4E068CD05 ,  4E068DA00 ,  4E068DA09 ,  5F004BB03 ,  5F004EA38 ,  5F051AA05 ,  5F051BA11 ,  5F051EA02 ,  5F051EA09 ,  5F051EA10 ,  5F051EA11 ,  5F051EA16 ,  5F051GA03 ,  5F072AB02 ,  5F072JJ02 ,  5F072JJ09 ,  5F072KK05 ,  5F072KK30 ,  5F072MM08 ,  5F072MM09 ,  5F072RR01 ,  5F072SS06 ,  5F072YY08

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-040986
  
• 特開昭61-259524
  
• レーザ加工装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-210800   出願人：三菱重工業株式会社
• 特開平2-137687