特許

J-GLOBAL ID：200903053163499055

円偏光ミラ-

発明者： 岩本 博実
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-355585
公開番号（公開出願番号）：特開平6-186423
出願日： 1992年12月18日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：

【要約】【目的】 炭酸ガスレ-ザ-光を円偏光に変えるミラ-は誘電体多層膜と金属層の付着力が不十分であった。ために機械的な接触により損傷を受けることが多い。また層の厚み誤差に対する余裕、光源の波長変動に対する余裕が乏しかった。【構成】 シリコンSiまたは銅Cuの基板上に、0.03μmのCr層、0.3μmのAu、Ag層、0.1μmのZnSe層、2.30μmのThF4 層、1.22μmのZnSe層、1.60μmのThF4 層、1.25μmのZnSe層、1.25μmのThF4 層、1.15μmのZnSe層、0.96μmのThF4 層、0.77μmのZnSe層を形成した。銅Cu基板を用いる場合は、Cr層を除いても良い。

請求項（抜粋）：

鏡面加工したシリコンSiまたは銅Cuの基板と、基板の上に形成された厚みが0.01〜0.1μmのCr層と、該Cr層の上に形成された厚みが0.1〜1.0μmの金Au、または銀Ag層と、前記金又は銀層の上に形成された厚みが0.07〜0.13μmのZnSe層1と、該ZnSe層1の上に形成された厚みが2.07〜2.53μmのThF4 層2と、該ThF4層2の上に形成された厚みが1.1〜1.34μmのZnSe層3と、該ZnSe層3の上に形成された厚みが1.34μm〜1.76μmのThF4 層4と、該ThF4 層4の上に形成された厚みが1.12μm〜1.38μmのZnSe層5と、該ZnSe層5の上に形成され厚みが1.06μm〜1.44μmのThF4 層6と、該ThF4 層6の上に形成された厚みが1.06μm〜1.24μmのZnSe層7と、該ZnSe層7の上に形成された厚みが0.87μm〜1.05μmのThF4 層8と、該ThF4 層8の上に形成された厚みが0.7μm〜0.84μmのZnSe層9とよりなり、ThF4 層4、ZnSe層5、ThF4 層6、ZnSe層7、ThF4 層8、ZnSe層9は位相遅延層を構成することを特徴とする円偏光ミラ-。

IPC (2件)：

G02B 5/30 ,  G02B 5/08