特許

J-GLOBAL ID：200903053165182750

電子放出素子、電子源及び画像形成装置

発明者： 西村 三千代 ,  高木 博嗣 ,  塚本 健夫
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 世良 和信 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-328567
公開番号（公開出願番号）：特開2001-143607
出願日： 1999年11月18日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】 電子放出の効率化と放出電子ビーム径の収束の両者に対し所望の設定が可能な高性能な電子放出素子、電子源及び画像形成装置を提供する。【解決手段】 絶縁層3の側壁が複数存在するように、絶縁層3を介して第2電極4が積層された凸部を複数配列した凹凸構造になっているので、電子放出素子の性能が向上でき、電子放出の効率化と放出電子ビーム径の収束の両者に対し所望の設定が可能になる。

請求項（抜粋）：

基板上に設けられた低電位の第1電極と、該第1電極よりも基板から離れた位置に設けられた高電位の第2電極と、前記第1電極と前記第2電極の間で電気的に接続され、一部に電子が放出される間隙を有する導電性膜と、を備えた電子放出素子において、前記第1電極上に絶縁層を介して前記第2電極を積層した凸部を複数配置して凹凸構造を設け、前記凹凸構造の凹部及び凸部の幅を変更することによって前記間隙付近の電位配置が変化することを用いて、電場の状態を規定して前記間隙から放出される電子の電子放出特性を設定したことを特徴とする電子放出素子。

IPC (2件)：

H01J 1/316 ,  H01J 31/12

FI (2件)：

H01J 31/12 C ,  H01J 1/30 E

Fターム (5件)：

5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EF08 ,  5C036EG02 ,  5C036EG12