特許
J-GLOBAL ID：200903053167033891
発光ダイオードの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-316397
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169994
出願日： 1993年12月16日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：
【要約】【目的】 チップ分割前のウエハに良好な形状のレンズを作り込むことができ、量産性が優れた発光ダイオードの製造方法を提供する。【構成】 n型半導体基板10上に、n型半導体層12とp型半導体層14の接合部近傍の発光層13において発光する半導体多層構造を形成し、p型半導体層14の上に重フリントガラス層30を形成し、このガラス層30を屈伏点以上の400°Cに加熱してガラス層30を凝集させて、ガラス層30を表面形状が略球面状のレンズ部に形成する。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板上に、少なくとも第1導電型半導体層と、第2導電型半導体層とを順に積層して、上記第1導電型半導体層と上記第2導電型半導体層の接合部近傍において発光する半導体多層構造を形成し、上記第2導電型半導体層の上に上記発光の発光波長に対して透明な凝集層を形成し、上記凝集層を、上記凝集層の屈伏点以上の温度に加熱することによって、上記凝集層を凝集させて、上記凝集層を表面形状が略球面状のレンズ部に形成することを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
引用特許：
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