特許

J-GLOBAL ID：200903053169318842

シリコン28の純度が高いシリコンインゴット及びウエハ

発明者： 永井 清司 ,  富樫 和也
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社
代理人 (1件)： 正林 真之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-007224
公開番号（公開出願番号）：特開2001-199792
出願日： 2000年01月14日
公開日（公表日）： 2001年07月24日
要約：

【要約】【課題】 高純度シリコン28のインゴットやウエハを、従来の技術に大きな変更を加えること無く、大量生産することができるようにする。【解決手段】 シリコン単結晶製造の上流工程である「モノシランガス、ジクロロシランガス、トリクロロシランガス、テトラクロロシランガス、ジシランガス、トリシランガス、若しくはテトラシランガス」の製造・精製工程において、同位体質量分離を行い、質量数28のシリコンを高純度に含む当該ガスを大量生産する。そして、この高純度モノシランガス等を用いて、高純度ガス専用のガス供給ライン、ガスボンベ、多結晶炉、単結晶(CZ、FZ)炉を用いてシリコン単結晶を製造し、最終製品であるウェハ迄を製造する。

請求項（抜粋）：

「液体モノシラン、液体ジクロロシラン、液体トリクロロシラン、液体テトラクロロシラン、液体ジシラン、液体トリシラン、若しくは液体テトラシラン」に遠心質量分離法若しくは分別蒸留法を適用することによってシリコン28(質量数28のシリコン。以下、同じ)を高純度に含む画分を分離する工程と、このシリコン28を高純度に含む画分を使用することによって多結晶の高純度シリコン28の塊を製造する工程と、を含む高純度シリコン28塊の製造方法。

IPC (8件)：

C30B 29/06 ,  B01D 59/00 ,  B01D 59/04 ,  B01D 59/20 ,  C30B 15/00 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/304 611

FI (8件)：

C30B 29/06 D ,  B01D 59/00 ,  B01D 59/04 ,  B01D 59/20 Z ,  C30B 15/00 Z ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/304 611 S