特許

J-GLOBAL ID：200903053171281468

化合物半導体積層体形成法

発明者： 渡辺 和夫 ,  山崎 肇
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 田中 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-216461
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045263
出願日： 1992年07月22日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 p型半導体層を有する化合物半導体積層体を、熱分解気相エピタキシャル成長法によって形成する工程と、その工程後、熱処理を施す工程とを有する化合物半導体積層体形成法において、p型半導体層を、結晶に品質の劣化を伴わせることなしに、炭素でなるp型不純物が十分高いキャリア濃度を有しているとともに、それを形成するときの温度よりも高い温度の熱が与えられてもキャリア濃度がほとんど変化しないものとして得る。【構成】 化合物半導体積層体に対する熱処理を、その熱処理時に熱分解によって水素原子が生ずるような分子を実質的に含まない雰囲気中、または分子を含んでいるとしても、p型半導体層を形成するときに用いるp型半導体層形成用原料ガスが熱分解によって水素原子が生ずるような分子を含んでいるとした場合の、その分子に比し低い分圧でしか含んでいない雰囲気中で行う。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板上に、炭素をp型不純物として導入しているp型半導体層を有する化合物半導体積層体を、熱分解気相エピタキシャル成長法によって形成する工程と、上記化合物半導体積層体を形成する工程後、上記化合物半導体積層体に対し、熱処理を施す工程とを有する化合物半導体積層体形成法において、上記化合物半導体積層体に対する熱処理の工程における熱処理を、その熱処理時に熱分解によって水素原子が生ずるような分子を実質的に含まない雰囲気中、または上記分子を含んでいるとしても、上記化合物半導体積層体を形成する工程において上記p型半導体層を形成するときに用いるp型半導体層形成用原料ガスが熱分解によって水素原子が生ずるような分子を含んでいるとした場合の、その分子に比し低い分圧でしか含んでいない雰囲気中で行うことを特徴とする化合物半導体積層体形成法。

IPC (7件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/06 ,  C30B 23/06 ,  H01L 21/324 ,  H01L 29/205 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73