特許
J-GLOBAL ID:200903053172345419

低温焼成用誘電体磁器組成物

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 中島 三千雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-276594
公開番号(公開出願番号):特開平5-319920
出願日: 1992年09月21日
公開日(公表日): 1993年12月03日
要約:
【要約】【目的】 実用的な比誘電率を保持しつつ、無負荷Qが大きく、共振周波数の温度係数が小さな誘電体磁器を与える、低温焼成用誘電体磁器組成物を提供する。【構成】 一般式:xBaO・yTiO2 ・zRE2 O3 (RE:希土類金属)にて表わされ、且つ次式:0.10≦x≦0.20,0.60≦y≦0.75,0.10≦z≦0.25,及びx+y+z=1を満足する組成物を主成分とし、該主成分組成物の100重量部に対して、一般式:k(重量%)ZnO・m(重量%)B2 O3 ・n(重量%)SiO2 (但し、30≦k≦85,5≦m≦50,2≦n≦40,k+m+n=100)にて表わされる組成のZnO-B2 O3-SiO2 系ガラスを、副成分として、0.1〜18重量部の割合において配合する。
請求項(抜粋):
一般式:xBaO・yTiO2 ・zRE2 O3 (但し、REは希土類金属を示す)にて表わされ、且つ該一般式中のx,y及びzが、それぞれ、次式:0.10≦x≦0.20,0.60≦y≦0.75,0.10≦z≦0.25,及びx+y+z=1を満足するように構成された、酸化バリウム、酸化チタン及び酸化レアアースからなる組成物を主成分とし、該主成分組成物の100重量部に対して、一般式:k(重量%)ZnO・m(重量%)B2 O3 ・n(重量%)SiO2 (但し、30≦k≦85,5≦m≦50,2≦n≦40,k+m+n=100)にて表わされる組成のZnO-B2 O3 -SiO2 系ガラスを、副成分として、0.1〜18重量部の割合において含有せしめてなることを特徴とする低温焼成用誘電体磁器組成物。
IPC (3件):
C04B 35/46 ,  H01B 3/02 ,  H01B 3/12 325

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