特許

J-GLOBAL ID：200903053172860100

多重レベル高密度相互接続構造体及び高密度相互接続構造体

発明者： クリシュナ ジー. サチデヴ ,  ジョン ピー. ヒューメル ,  サンダー エム. カマス ,  ロバート ニール ラング ,  アントン ネンダイク ,  チャールズ エイチ. ペリー ,  ハーバンズ サチデヴ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 頓宮 孝一 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-175743
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251626
出願日： 1992年07月02日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：

【要約】【目的】 半導体デバイス又はパッケージで使用する高密度多層相互接続構造体の製造上の問題を解決すると共に、長期的な性能及び信頼性を改良する。【構成】 少なくとも1つの導電形状をその中に有する基板と、基板に接着された低熱膨脹性ポリイミドフィルムと、ポリイミドフィルム内に配置され基板の導電形状と接触する少なくとも1つの相互接続導電金属形状と、から構成される。絶縁体/パッシベーション層として、低比誘電率、低水分吸収、NMP等の溶媒中での非膨潤性、研磨性能等の優れた特性を有するポリイミドフィルムを使用することによって、得られる構造体の性能を改善できる。

請求項（抜粋）：

半導体デバイス又はパッケージで使用するための多重レベル高密度相互接続構造体であって、少なくとも1つの導電形状をその中に有する基板と、前記基板に接着された低熱膨脹率、低応力、高靱性、低比誘電率のポリイミド組成物のフィルムと、前記基板の前記導電形状と接触し、前記ポリイミドフィルム内に配置された少なくとも1つの相互接続導電金属形状と、を備えた多重レベル高密度相互接続構造体。

IPC (3件)：

H01L 23/522 ,  H01L 23/12 ,  C08G 73/10 NTF

FI (2件)：

H01L 23/52 B ,  H01L 23/12 N

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭58-125859
  
• 特開昭63-024650
  
• 特開平3-041757