特許

J-GLOBAL ID：200903053173352680

電磁波シールド層の形成方法

発明者： 佐藤 一也 ,  奥野 晴彦
出願人/特許権者： 奥野製薬工業株式会社
代理人 (1件)： 三枝 英二 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-062137
公開番号（公開出願番号）：特開2001-251084
出願日： 2000年03月07日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】プラスチック容器に対して、高い電磁波シールド特性と優れた耐食性を兼備する電磁波シールド層を簡単に形成できる方法を提供する。【解決手段】プラスチック容器に、無電解銅めっき皮膜及び無電解ニッケルめっき皮膜を順次形成し、次いで、無電解金めっき皮膜及び無電解銀めっき皮膜から選ばれた少なくとも一種のめっき皮膜を形成することを特徴とするプラスチック容器に電磁波シールド層を形成する方法。

請求項（抜粋）：

プラスチック容器に、無電解銅めっき皮膜及び無電解ニッケルめっき皮膜を順次形成し、次いで、無電解金めっき皮膜及び無電解銀めっき皮膜から選ばれた少なくとも一種のめっき皮膜を形成することを特徴とするプラスチック容器に電磁波シールド層を形成する方法。

IPC (2件)：

H05K 9/00 ,  B32B 15/08

FI (2件)：

H05K 9/00 D ,  B32B 15/08 F

Fターム (25件)：

4F100AA22D ,  4F100AB16C ,  4F100AB17B ,  4F100AB24D ,  4F100AB25D ,  4F100AK01A ,  4F100AK74A ,  4F100BA04 ,  4F100BA07 ,  4F100DA01 ,  4F100EJ15A ,  4F100EJ64A ,  4F100EJ69D ,  4F100EJ85A ,  4F100GB41 ,  4F100GB48 ,  4F100JB02 ,  4F100JD08 ,  4F100YY00B ,  4F100YY00C ,  4F100YY00D ,  5E321AA01 ,  5E321BB23 ,  5E321BB25 ,  5E321GG05