特許

J-GLOBAL ID：200903053174607402

ガス吸蔵材料及びその製造方法ならびにガス吸蔵装置

発明者： 西山 円
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (2件)： 渡辺 隆男 ,  大澤 圭司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-237596
公開番号（公開出願番号）：特開2006-055698
出願日： 2004年08月17日
公開日（公表日）： 2006年03月02日
要約：

【課題】 軽量で優れたガス吸蔵・放出能が期待できる新規な炭素系ガス吸蔵材料及びその製造方法を提供することを課題とする。 【解決手段】 表面に円筒状ないし円錐状のピット群が形成された原盤に流動性の高分子材料を塗布する工程と、該高分子材料を硬化し前記原盤から剥離して表面に円柱状ないし円錐状の突起群が形成された高分子シートを製造する工程と、該高分子シートの突起群を含む領域に金属被覆を形成する工程と、該金属被覆を触媒とする化学的気相成長法により前記突起群の軸線に略垂直かつ放射状に炭素繊維群を成長させる工程とにより、基板表面に略垂直に形成された円錐状ないし円柱状の突起からなる支持構造群と、該支持構造群の表面に形成された炭素繊維群とを有するガス吸蔵材料を製造する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板表面に略垂直に形成された円錐状ないし円柱状の突起からなる支持構造群と、該支持構造群の表面に形成された炭素繊維群とを有するガス吸蔵材料。

IPC (8件)：

B01J 20/20 ,  B01J 20/28 ,  B01J 23/72 ,  B01J 23/74 ,  B01J 23/86 ,  B01J 37/02 ,  C01B 31/02 ,  F17C 11/00

FI (8件)：

B01J20/20 B ,  B01J20/28 A ,  B01J23/72 M ,  B01J23/74 M ,  B01J23/86 M ,  B01J37/02 301M ,  C01B31/02 101F ,  F17C11/00 C

Fターム (55件)：

4G066AA02C ,  4G066AA04B ,  4G066AD01C ,  4G066AE20C ,  4G066BA01 ,  4G066BA05 ,  4G066BA16 ,  4G066BA33 ,  4G066CA38 ,  4G066DA01 ,  4G066EA13 ,  4G066FA17 ,  4G066FA21 ,  4G066FA40 ,  4G069AA02 ,  4G069BC31A ,  4G069BC58A ,  4G069BC66A ,  4G069BC67A ,  4G069BC68A ,  4G069CB81 ,  4G069DA06 ,  4G069EA08 ,  4G069FA03 ,  4G069FB02 ,  4G069FB03 ,  4G069FB21 ,  4G140AA14 ,  4G140AA23 ,  4G140AA33 ,  4G140AA34 ,  4G140AA48 ,  4G146AA11 ,  4G146AB06 ,  4G146AD32 ,  4G146BA11 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC44 ,  4G169AA02 ,  4G169BC31A ,  4G169BC58A ,  4G169BC66A ,  4G169BC67A ,  4G169BC68A ,  4G169CB81 ,  4G169DA06 ,  4G169EA08 ,  4G169FA03 ,  4G169FB02 ,  4G169FB03 ,  4G169FB21