特許
J-GLOBAL ID：200903053176425026
アンチフューズ素子を具備した半導体集積回路装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高矢 諭 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-267107
公開番号（公開出願番号）：特開平10-116909
出願日： 1996年10月08日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：
【要約】【課題】 抵抗値が低く、フィラメントも切れない、信頼性の高いアンチフューズ素子を提供する。【解決手段】 導電性プラグ40を2層構造とし、上部プラグ44を非晶質金属で形成し、下部プラグ42を低抵抗金属で形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された第1配線層に配置される第1配線と、層間絶縁膜を介在して前記第1配線層上に形成された第2配線層に配置される第2配線と、前記層間絶縁膜に形成された接続孔と、該接続孔内に配置された、前記第1配線と第2配線とを接続する導電性プラグ、及び、該導電性プラグ上に形成されたアンチフューズ用絶縁膜を有するアンチフューズ素子を具備した半導体集積回路装置において、前記導電性プラグの上層が非晶質金属で形成され、下層が低抵抗金属で形成されていることを特徴とする、アンチフューズ素子を具備した半導体集積回路装置。
IPC (2件)：
H01L 21/82
, H01L 21/3205
H01L 21/82 F
, H01L 21/88 Z
