特許
J-GLOBAL ID：200903053177454089
金属、及び半導体中の微量元素分析方法、及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢葺 知之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-094583
公開番号（公開出願番号）：特開平6-308061
出願日： 1993年04月21日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、金属半導体に含まれる微量異種元素をppm オーダーの精度、且つ非破壊で定量する分析方法である。【構成】 本発明は微量元素がバルク中では ppm〜数10ppm であっても、特定の加熱条件では表面に%オーダー存在することを利用して、表面を清浄に仕上げた金属、または半導体を10-7Torr以下の高真空の表面分析装置内で一定温度に加熱して、異種元素の表面偏析濃度の時間変化とバルク濃度との関係を測定することにより、金属中及び半導体に含まれる5at%以下の異種元素濃度を定量する微量元素定量法である。
請求項（抜粋）：
表面を清浄に仕上げた金属、または半導体を10-7Torr以下の高真空の表面分析装置内で、試料融点(絶対温度)の1/4かつ50°C(323K)以上、融点の4/5以下に加熱して、該金属または半導体に微量に含有されている異種元素の表面偏析濃度を測定し、表面濃度の時間変化をバルク濃度依存性から、金属中及び半導体に含まれる微量異種元素濃度を定量する金属、及び半導体中の微量元素分析方法。
IPC (3件)：
G01N 23/227
, G01N 1/28
, H01J 37/252
