特許

J-GLOBAL ID：200903053178221770

半導体ウエハーの検査方法

発明者： 山田 恵三
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-348988
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174077
出願日： 1998年12月08日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】 コンタクトホールの検査時間を短縮する方法を提供する。【解決手段】 複数のコンタクトホールを有する半導体ウエハーの検査方法において、前記半導体ウエハーを所望の複数の第1の領域に区分けして、各第1の領域に電子ビームを照射して、各第1の領域中のコンタクトホールを貫通する電子ビームの電流値を測定し、その電流値をしきい値と比較する所望のことにより前記第1の領域中の複数のコンタクトホールのうち正常に形成されていないコンタクトホールの割合を検査することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

複数のコンタクトホールを有する半導体ウエハーの検査方法において、前記半導体ウエハーを所望の複数の第1の領域に区分けして、各第1の領域に電子ビームを照射して、各第1の領域中のコンタクトホールを貫通する電子ビームの電流値を測定し、その電流値を所望のしきい値と比較することにより前記第1の領域中の複数のコンタクトホールのうち正常に形成されていないコンタクトホールの割合を検査することを特徴とする半導体ウエハーの検査方法。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  G01R 31/302

FI (2件)：

H01L 21/66 A ,  G01R 31/28 L

Fターム (20件)：

2G032AA01 ,  2G032AD01 ,  2G032AF08 ,  4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106AA07 ,  4M106AB07 ,  4M106BA02 ,  4M106CA39 ,  4M106DA14 ,  4M106DH01 ,  4M106DH16 ,  4M106DH33 ,  4M106DH38 ,  4M106DH60 ,  4M106DJ01 ,  4M106DJ04 ,  4M106DJ14 ,  4M106DJ20 ,  9A001LL05