特許
J-GLOBAL ID：200903053188653423
高速ダイオード
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
玉蟲 久五郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-273170
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106605
出願日： 1993年10月05日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：
【要約】【目的】 高周波回路に応用されるダイオードにおいて、逆方向回復特性及びその耐量が従来に比べ優れた性能を有する高速ダイオードを提供することを目的とする。【構成】 ダイオード半導体基板内、アノード側及びアノード側接合が微細な繰り返しパターンで形成される。更に高速性を付加するに、カソード側接合近傍にH+ ,He等のイオン注入によるライフタイムコントロール用イオン打込を行った構造を有する。
請求項（抜粋）：
半導体基板内に次の接合構造を有する高速ダイオードであって、(i)アノード(pE )全面にp型半導体層を薄く設けた上、波状のp+ 層を均一にくり返し設け、(ii)更に、カソード側n型半導体層(nE 層)を同様に波状に均一にくり返し設けて2重の波形エミッタ構造を基板に形成し、基板抵抗率が高くアノードカソード間がpin構造を有する場合には最大逆方向耐圧印加時、アノードカソード間の基板内に空乏層が全面に広がり、かつ繰り返しnE 層に全面nバッフア層を設けたことを特徴とする高速ダイオード。
IPC (2件)：
H01L 29/872
, H01L 29/861
H01L 29/48 F
, H01L 29/91 D
