特許

J-GLOBAL ID：200903053189553597

有機半導体デバイス及びその製造方法

発明者： 板橋 哲
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 亮一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-026675
公開番号（公開出願番号）：特開2003-229616
出願日： 2002年02月04日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：

【要約】【目的】 極めて簡単なプロセスで同一基板上にTFTとLEDを形成することができる有機半導体デバイスを提供すること。【構成】 共通の基板上に、有機半導体による薄膜トランジスタと発光素子が形成されている有機半導体デバイスにおいて、薄膜トランジスタの主電極の少なくとも一方と発光素子の一方の電極である第1の電極、薄膜トランジスタのゲート電極と発光素子のもう一方の電極である第2の電極、発光素子の薄膜トランジスタの有機半導体層と発光素子の少なくとも1層の有機半導体層が各々共通であり、且つ、薄膜トランジスタのゲート絶縁層が発光素子を覆っていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

共通の基板上に、有機半導体による薄膜トランジスタと発光素子が形成されている有機半導体デバイスにおいて、薄膜トランジスタの主電極の少なくとも一方と発光素子の一方の電極である第1の電極、薄膜トランジスタのゲート電極と発光素子のもう一方の電極である第2の電極、発光素子の薄膜トランジスタの有機半導体層と発光素子の少なくとも1層の有機半導体層が各々共通であり、且つ、薄膜トランジスタのゲート絶縁層が発光素子を覆っていることを特徴とする有機半導体デバイス。

IPC (4件)：

H01L 51/00 ,  H01L 27/15 ,  H01L 29/786 ,  H05B 33/14

FI (5件)：

H01L 27/15 B ,  H05B 33/14 A ,  H01L 29/28 ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 613 Z

Fターム (21件)：

3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110FF01 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF30 ,  5F110GG05 ,  5F110GG41 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-244167   出願人：富士ゼロツクス株式会社
• 有機アクティブEL発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-357028   出願人：出光興産株式会社