特許

J-GLOBAL ID：200903053192964000

半導体装置

発明者： 高坂 広之
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 竹中 岑生 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-005447
公開番号（公開出願番号）：特開2003-209217
出願日： 2002年01月15日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：

【要約】【課題】 複数の半導体集積回路素子を共通の板状基材に取り付ける半導体装置において、半導体集積回路素子の発熱による他の半導体集積回路素子への影響を適切に回避できる半導体装置を得る。【解決手段】 複数の半導体集積回路素子を共通の板状基材に取り付ける半導体装置において、前記板状基材における第1の半導体集積回路素子の取付領域と第2の半導体集積回路素子の取付領域との間に両者を分離するように延在するスリット部4を設けるとともに、前記板状基材に第1の半導体集積回路素子の取付領域と第2の半導体集積回路素子の取付領域との連結を保つ連結部5,6を一体に設けた。

請求項（抜粋）：

複数の半導体集積回路素子を共通の板状基材に取り付ける半導体装置において、前記板状基材における第1の半導体集積回路素子の取付領域と第2の半導体集積回路素子の取付領域との間に両者を分離するように延在するスリット部を設けるとともに、前記板状基材に第1の半導体集積回路素子の取付領域と第2の半導体集積回路素子の取付領域との連結を保つ連結部を一体に設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/50 ,  H01L 25/04 ,  H01L 25/18

FI (2件)：

H01L 23/50 U ,  H01L 25/04 Z

Fターム (4件)：

5F067AB03 ,  5F067BD05 ,  5F067BE02 ,  5F067BE06