特許

J-GLOBAL ID：200903053194320347

平坦な酸化物系圧電体基板および酸化物系基板の製法とデバイス

発明者： 柴田 佳彦 ,  久世 直洋
出願人/特許権者： 旭化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-078583
公開番号（公開出願番号）：特開平9-270543
出願日： 1996年04月01日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：

【要約】【課題】 平坦表面を有する酸化物系圧電体基板および酸化物系基板の製法とそのデバイスを提供する。【解決手段】 大気圧より低真空で、かつ、酸化性ガス雰囲気で、酸化物系圧電体基板および酸化物系基板をアニール処理する事により、表面粗さの著しい改善が可能となる。該基板を用いる事により、高品質の圧電デバイス、表面弾性波デバイス、光応用デバイスが実現できる。

請求項（抜粋）：

表面粗さ(Ra)が0.15nm以下である事を特徴とする酸化物系圧電体基板。

IPC (9件)：

H01L 41/24 ,  C30B 29/30 ,  C30B 33/02 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/18 ,  H03H 3/02 ,  H03H 3/08 ,  H03H 9/02 ,  H03H 9/145

FI (10件)：

H01L 41/22 A ,  C30B 29/30 A ,  C30B 29/30 B ,  C30B 33/02 ,  H03H 3/02 B ,  H03H 3/08 ,  H03H 9/02 Z ,  H03H 9/145 Z ,  H01L 41/08 C ,  H01L 41/18 101 Z