特許

J-GLOBAL ID：200903053194601648

Cu電解めっき成膜方法

発明者： 神吉 剛司 ,  北田 秀樹 ,  大塚 信幸 ,  清水 紀嘉
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-221722
公開番号（公開出願番号）：特開2001-049491
出願日： 1999年08月04日
公開日（公表日）： 2001年02月20日
要約：

【要約】【課題】 Cuシード膜付き基板上にCu電解めっきにより、高い信頼性をもって、微細なCu配線を形成することのできる方法を提供する。【解決手段】 基板上に形成されたCu膜をシードとしてその上にCu電解めっき成膜を行うに当たり、前記Cuシード膜付き基板をめっき液に浸漬する際にCuよりもイオン化傾向の大きい金属をCuシード膜に接触させることを特徴とするCu電解めっき成膜方法。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたCu膜をシードとしてその上にCu電解めっき成膜を行うに当たり、前記Cuシード膜付き基板をめっき液に浸漬する際にCuよりもイオン化傾向の大きい金属をCuシード膜に接触させることを特徴とするCu電解めっき成膜方法。

IPC (2件)：

C25D 7/12 ,  H01L 21/288

FI (2件)：

C25D 7/12 ,  H01L 21/288 E

Fターム (20件)：

4K024AA09 ,  4K024AB01 ,  4K024AB17 ,  4K024BA01 ,  4K024BB12 ,  4K024BC03 ,  4K024CA03 ,  4K024CB26 ,  4K024GA04 ,  4M104AA01 ,  4M104BB04 ,  4M104DD07 ,  4M104DD33 ,  4M104DD43 ,  4M104DD52 ,  4M104FF13 ,  4M104FF22 ,  4M104GG13 ,  4M104HH13 ,  4M104HH20