特許

J-GLOBAL ID：200903053196570049

化学機械研磨用水系分散体

発明者： 服部 雅幸 ,  窪田 清信 ,  元成 正之 ,  飯尾 章
出願人/特許権者： ジェイエスアール株式会社
代理人 (1件)： 小島 清路
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-009903
公開番号（公開出願番号）：特開2000-212776
出願日： 1999年01月18日
公開日（公表日）： 2000年08月02日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の被加工膜等の金属層に有用な化学機械研磨用水系分散体を提供する。【解決手段】 過酸化水素、過酢酸、有機過酸化物、過マンガン酸化合物等の酸化剤、シリカ、アルミナ等の無機粒子、或いはポリスチレン、ポリメチルメタアクリレート等の有機粒子からなる平均粒子径0.01〜3μm、特に0.05〜1.0μmの砥粒、及び水を含有する水系分散体であって、金属層を有する被研磨物を30分間浸漬した場合の、金属層のエッチング深さが2000Å以下であり、半導体装置の被加工膜等の金属層の化学機械研磨に用いられる水系分散体を得る。この水系分散体に、3〜3000ppmのアルミニウム、チタン、クロム等の多価金属のイオン、及びパラトルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸等の有機酸、硝酸、塩酸等の無機酸を更に含有させることもできる。

請求項（抜粋）：

酸化剤、平均粒子径0.01〜3μmの砥粒及び水を含有し、金属層と30分間接触させた場合の、該金属層のエッチング深さが2000Å以下であり、該金属層の研磨に用いられることを特徴とする化学機械研磨用水系分散体。

IPC (7件)：

C23F 1/14 ,  B24B 37/00 ,  C09K 13/00 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/308 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14

FI (8件)：

C23F 1/14 ,  B24B 37/00 H ,  C09K 13/00 ,  H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/308 F ,  C09K 3/14 550 E ,  C09K 3/14 550 H ,  C09K 3/14 550 M

Fターム (30件)：

3C058AA07 ,  3C058CA01 ,  3C058CB01 ,  3C058CB02 ,  3C058CB03 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17 ,  4K057WA11 ,  4K057WB04 ,  4K057WB05 ,  4K057WB08 ,  4K057WB15 ,  4K057WE02 ,  4K057WE03 ,  4K057WE08 ,  4K057WE11 ,  4K057WE13 ,  4K057WE14 ,  4K057WE25 ,  4K057WE30 ,  4K057WG03 ,  4K057WG04 ,  4K057WN01 ,  5F043AA24 ,  5F043AA26 ,  5F043BB16 ,  5F043BB18 ,  5F043DD16