特許

J-GLOBAL ID：200903053197557240

磁電変換素子

発明者： 西川 雅永 ,  南谷 保 ,  佐藤 友春 ,  池田 利昭
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-159526
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008379
出願日： 1995年06月26日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】 引出電極を形成する必要がなく、耐湿性が高い磁電変換素子を提供する。【構成】 磁気抵抗効果膜の短絡膜が形成された面を基板に接着し、短絡膜形成面の裏面の磁気抵抗効果膜に直接端子を接続した。その結果、引出電極を形成する必要がなく、水分を透過しない磁気抵抗効果膜が保護膜として作用する磁電変換素子を提供することができる。

請求項（抜粋）：

一方の面に複数の短絡膜が形成された磁気抵抗効果膜と、基板と、前記磁気抵抗効果膜の両端に電気的にそれぞれ接続する一対の端子とを有する磁電変換素子において、前記磁気抵抗効果膜の前記短絡膜が形成された一方の面に前記基板が接着され、他方の面の両端に前記一対の端子がそれぞれ接続されていることを特徴とする磁電変換素子。

IPC (3件)：

H01L 43/00 ,  H01L 43/08 ,  G01B 7/00

FI (3件)：

H01L 43/00 ,  H01L 43/08 Z ,  G01B 7/00 J

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平2-187680