特許

J-GLOBAL ID：200903053199160518

金のシアン浴を用いた電解めっきによる複合めっき方法

発明者： 川野 明夫 ,  菅谷 好倫
出願人/特許権者： 株式会社山王
代理人 (1件)： 押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-281002
公開番号（公開出願番号）：特開平6-108294
出願日： 1992年09月25日
公開日（公表日）： 1994年04月19日
要約：

【要約】【目的】 金マトリックスにフッ素樹脂を高い共析量で均一に分散した複合めっき層を形成する方法を提供すること。【構成】 微細なフッ素樹脂を添加した伝導塩濃度が150g/l以下、金塩濃度が金として20g/l以下の金のシアン浴を用いて電解めっき処理し、前記微細なフッ素樹脂を分散含有する金めっき層を形成する、金のシアン浴を用いた電解めっきによる複合めっき処理を行なう。その結果、均一に分散した複合めっき層が形成されていた。

請求項（抜粋）：

微細なフッ素樹脂を添加した伝導塩濃度が150g/l以下、金塩濃度が金として20g/l以下の金のシアン浴を用いて電解めっき処理し、前記微細なフッ素樹脂を分散含有する金めっき層を形成することを特徴とする金のシアン浴を用いた電解めっきによる複合めっき方法。