特許

J-GLOBAL ID：200903053201550051

縦型MOSトランジスタおよびその製造方法

発明者： 谷沢 元昭
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-225071
公開番号（公開出願番号）：特開平5-048109
出願日： 1991年08月07日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【目的】 チャネル方向の電界を緩和することにより、縦型MOSトランジスタの耐圧の向上を図る。【構成】 縦型MOSトランジスタにおいて、チャネル部を構成する半導体層とドレインを構成する半導体層の間にドレインと同種の半導体で、かつ濃度の低い緩衝領域を設ける。

請求項（抜粋）：

縦型MOSトランジスタにおいて、半導体基板上に形成されたフィールド酸化膜と、前記酸化膜の上に形成されたアイランド構造と、前記アイランド構造の両凹部に形成されたソースおよびドレインと、前記アイランド構造の凸部上に形成されたゲート酸化膜と、前記ゲート酸化膜上に形成されたゲート電極と、前記ドレインの活性領域側に形成された、該ドレインと反対電荷をもち、かつ、該ドレインと同種の半導体で、不純物濃度の低い緩衝領域とを備えたことを特徴とする縦型MOSトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/784 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 311 X ,  H01L 29/78 301 H ,  H01L 29/78 311 P