特許
J-GLOBAL ID：200903053203315335
半導体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-052404
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268318
出願日： 1993年03月12日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】【目的】本発明は、pクラッド層のキャリア濃度を十分に高くし、レーザの温度特性の改善をはかり得るInGaAlP系の半導体レーザを提供することを目的とする。【構成】半導体基板101上にIn<SB>1-Y </SB>(Ga<SB>1-Z </SB>A<SB>lZ </SB>)<SB>Y </SB>P系材料(0≦Y<1、0≦Z<1)からなる活性層104をクラッド層103,105で挟んだダブルヘテロ構造部を有し、In<SB>1-Y </SB>(Ga<SB>1-X </SB>Al<SB>X </SB>)<SB>Y </SB>Pからなるクラッド層103,105のGaAl混晶組成をX≦0.4としたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にIn<SB>1-Y </SB>(Ga<SB>1-Z </SB>Al<SB>Z </SB>)<SB>Y </SB>P系材料(0≦Y<1、0≦Z<1)からなる活性層をクラッド層で挟んだダブルヘテロ構造部を有し、In<SB>1-Y </SB>(Ga<SB>1-X </SB>Al<SB>X </SB>)<SB>Y </SB>Pからなる前記クラッド層のGaAl混晶組成をX≦0.4としたことを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
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