特許

J-GLOBAL ID：200903053210510402

アンチヒューズを備えた半導体装置

発明者： 都築 範久 ,  斎木 孝志 ,  望月 昭寿
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 青木 朗 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-281356
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198681
出願日： 1992年10月20日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：

【要約】【目的】 アンチヒューズを備えた半導体装置に関し、厚さや形状の均一なアンチヒューズ用非晶質シリコン層を形成して、安定した所定特性の半導体回路を有する半導体装置を提供する。【構成】 半導体基板41と、半導体基板上に形成された絶縁層42と、該絶縁層上に形成された下層配線層43a、43bと、下層配線層43aの上に形成されたアンチヒューズ用の非晶質半導体層45と、絶縁層および非晶質半導体層の上に形成されかつ該非晶質半導体層に達するコンタクトホールを有する層間絶縁層50と、層間絶縁層の上に形成されかつコンタクトホール52aを介して非晶質半導体層45に接続された上層配線層53と、からなることを特徴とするアンチヒューズを備えた半導体装置に構成する。配線層がアルミニウムである場合に、非晶質半導体層と下層配線層(および上層配線層)との間に下層(上層)バリア層44(46)が形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板(41、61)と、前記半導体基板上に形成された絶縁層(42、62)と、前記絶縁層上に形成された下層配線層(43a、63)と、前記下層配線層の上に形成されたアンチヒューズ用の非晶質半導体層(45、65)と、前記絶縁層および前記非晶質半導体層の上に形成されかつ前記非晶質半導体層(45、65)に達するコンタクトホールを有する層間絶縁層(50、66)と、前記層間絶縁層の上に形成されかつ前記コンタクトホールを介して前記非晶質半導体層に接続された上層配線層(53、72a)と、からなることを特徴とするアンチヒューズを備えた半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/82 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/90

FI (2件)：

H01L 21/82 F ,  H01L 21/88 M