特許

J-GLOBAL ID：200903053211847877

SOI基板の製造方法

発明者： 阿閉 忠司
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-325105
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223782
出願日： 1996年12月05日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】【課題】 SOI基板の製造工程で、多孔質Si領域上の非多孔質Si領域を効率良く除去し、ガラス基板がエッチングされる問題や、多孔質Si領域を大きくとらねばならない問題を解決する。【解決手段】 単結晶Si基板の表層を多孔質化し、第1の非多孔質単結晶Si領域100上の多孔質単結晶Si領域101を形成する工程、前記領域101の表面に第2の非多孔質単結晶Si領域102を形成する工程、前記領域102の表面に支持基板110を、絶縁領域103を介して貼り合わせる工程、前記領域100を除去する工程、前記領域101を除去する工程、とを有するSOI基板の製造方法において、前記第1の非多孔質単結晶Si領域100を除去する工程が、非多孔質単結晶Si領域100のエッチング速度が、多孔質単結晶Si領域101のそれより大きいドライエッチングを行なう工程を有する。

請求項（抜粋）：

単結晶Si基板の表層を多孔質化し、第1の非多孔質単結晶Si領域上の多孔質単結晶Si領域を形成する工程、前記多孔質単結晶Si領域の表面に第2の非多孔質単結晶Si領域を形成する工程、前記第2の非多孔質単結晶Si領域の表面に支持基板を、絶縁領域を介して貼り合わせる工程、前記第1の非多孔質単結晶Si領域を除去する工程、前記多孔質単結晶Si領域を除去する工程、とを有するSOI基板の製造方法において、前記第1の非多孔質単結晶Si領域を除去する工程が、非多孔質単結晶Si領域のエッチング速度が、多孔質単結晶Si領域のそれより大きいドライエッチングを行なう工程を有することを特徴とするSOI基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/302 A