半導体集積回路装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：徳若光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-027438
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130861
出願日： 1984年06月08日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】ヒューズの低抵抗化を図ってヒューズ溶断を容易にする一方、前述のフロセス及び構造上の問題になるヒューズの断線(または高抵抗)をなくすことにより歩留及び信頼性を高め、更にヒューズ寸法のコントロール性の向上、マスク工程の低減、ヒューズの機械的強度の向上等を実現した半導体集積回路装置の製造方法を提供する。【構成】少なくともフィールド絶縁膜と第1層目ポリシリコン膜及び第1層目ポリシリコン膜上に絶縁膜が形成されてなる半導体基板上に第2層目以降のポリシリコン膜を形成し、上記第2層目以降のポリシリコン膜上に金属膜を被着させてその下層のポリシリコン膜とともにパターンエッチングしてヒューズを形成する。【効果】ポリシリコン膜とその上に形成されたピュアの金属膜とからなる積層構造によりヒューズを構成しているから、抵抗値が小さく信頼性が高くかつヒューズ寸法のコントロール性の向上やマスク工程の低減ができる。

請求項（抜粋）：

(1)少なくともフィールド絶縁膜と第1層目ポリシリコン膜及び第1層目ポリシリコン膜上に絶縁膜が形成されてなる半導体基板上に第2層目以降のポリシリコン膜を形成する工程、(2)上記第2層目以降のポリシリコン膜上に金属膜を被着させる工程、(3)上記金属膜をその下層のポリシリコン膜とともにパターンエッチングしてヒューズを形成する工程を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/82 , H01L 21/8242 , H01L 27/108 , H01L 21/8246 , H01L 27/112

FI (4件)：

H01L 21/82 R , H01L 21/82 F , H01L 27/10 325 U , H01L 27/10 433

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭60-098665
半導体集積回路装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-027437 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立マイコンシステム

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