特許
J-GLOBAL ID：200903053215348956
半導体レーザおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-247661
公開番号（公開出願番号）：特開2002-064247
出願日： 2000年08月17日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：
【要約】【課題】 窒化物系III-V族化合物半導体層と電極とのオーミック接触面積を拡大し、接触抵抗の低減を図ることができる半導体レーザおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 p型クラッド層18とp側コンタクト層19との間には、活性層16の電流注入領域に対応して開口21aを有する絶縁層21が設けられている。p型クラッド層18は、絶縁層21の開口21aに対応してp側コンタクト層19側に突出した突部18aを有している。p側コンタクト層19は、p型クラッド層18の突部18aに対応して設けられた基礎成長領域19aと、この基礎成長領域および突部18aを基礎として成長された再成長領域19bとを有している。再成長領域19bによりp側コンタクト層19の幅が拡大され、p側電極23とのオーミック接触面積が拡大されて、接触抵抗の低減が図られている。
請求項（抜粋）：
基板に窒化物系III-V族化合物半導体よりそれぞれなる第1導電型半導体層,活性層および第2導電型半導体層が順次積層されると共に、前記第1導電型半導体層に対して第1の電極が電気的に接続され、前記第2導電型半導体層に対して第2の電極が電気的に接続された半導体レーザであって、前記第2導電型半導体層は前記第2の電極とオーミック接触する第2導電型コンタクト層を有すると共に、前記活性層は電流が注入される電流注入領域を有しており、前記第2導電型コンタクト層と前記活性層との間には、前記電流注入領域に対応して開口を有する絶縁層が設けられたことを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (8件)：
5F073AA26
, 5F073AA44
, 5F073BA06
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073DA05
, 5F073DA25
, 5F073EA29
