特許

J-GLOBAL ID：200903053215379088

強誘電体薄膜、製造方法及び強誘電体薄膜を含んでなる素子

発明者： 木島 健 ,  牛久保 真帆 ,  松永 宏典
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-139283
公開番号（公開出願番号）：特開平10-313097
出願日： 1997年05月13日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：

【要約】【課題】 従来の強誘電体薄膜の製造方法に比べ、より簡便な成膜プロセスで成膜温度の低温化、薄膜化、さらには膜の配向性制御を可能とした強誘電体薄膜、その製造方法及び強誘電体薄膜素子を提供すること。【解決手段】 酸化ビスマス多結晶薄膜からなるバッファ層とBi2Am-1BmO3m+3(AはNa、K、Pb、Ca、Sr、Ba及びBi;BはFe、Ti、Nb、Ta、W及びMoの中から選択され、mは1以上の自然数である)で表されるビスマス系層状化合物薄膜とが単一相で形成されてなる強誘電体薄膜。

請求項（抜粋）：

酸化ビスマス多結晶薄膜からなるバッファ層と一般式 Bi2Am-1BmO3m+3(AはNa、K、Pb、Ca、Sr、Ba及びBi;BはFe、Ti、Nb、Ta、W及びMoの中から選択され、mは1以上の自然数である)で表されるビスマス系層状化合物薄膜とが単一相で形成されてなることを特徴とする強誘電体薄膜。

IPC (10件)：

H01L 27/10 451 ,  H01B 3/12 318 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 37/02 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/24

FI (7件)：

H01L 27/10 451 ,  H01B 3/12 318 G ,  H01L 37/02 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 41/18 101 Z ,  H01L 41/22 A