特許

J-GLOBAL ID：200903053216247819

半導体装置の製造方法

発明者： 堀 貴彦 ,  滝沢 幸雄
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-207607
公開番号（公開出願番号）：特開2002-025974
出願日： 2000年07月10日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置製造用メタルマスクとしてスパッタ法で形成したチタン膜にピンホールが多数発生し、マスク材として有効に機能せずこれを用いた半導体装置の製造時の歩留が低くなるのを防止する。【解決手段】 基板温度200°C以上の条件下でのスパッタによりチタン膜1を形成する。チタン膜1の結晶性は加熱により一方位配向から二方位配向へと変化し、また結晶密度も増加してKOHなど半導体基板10の異方性エッチャントに対するバリア性が向上する。また加熱によりスパッタ装置内で発生するパーティクルとの熔着率が増加して、その後のパーティクルの脱落によるチタン膜1におけるピンホール2の発生数が減少する。これをマスク材として用いることにより高歩留の半導体装置製造が可能となる。

請求項（抜粋）：

結晶性の半導体基板の温度を200°C以上にし、この半導体基板上に、スパッタ法により金属膜を形成する工程と、前記金属膜を選択的に除去してパターンを形成する工程と、前記金属膜をマスクとして前記半導体基板をエッチングする工程とを含むことを特徴とする、半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/306 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H01L 29/84 ,  H01L 21/285 301

FI (5件)：

C23C 14/34 N ,  H01L 21/203 S ,  H01L 29/84 Z ,  H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/306 G

Fターム (30件)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA17 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029EA08 ,  4K029GA00 ,  4M104AA01 ,  4M104BB14 ,  4M104DD21 ,  4M104DD37 ,  4M104DD71 ,  4M112AA01 ,  4M112DA04 ,  4M112DA09 ,  4M112EA02 ,  4M112EA11 ,  5F043AA02 ,  5F043BB01 ,  5F043CC05 ,  5F043GG10 ,  5F103AA08 ,  5F103DD28 ,  5F103HH03 ,  5F103NN01 ,  5F103PP06 ,  5F103PP08 ,  5F103RR02 ,  5F103RR04 ,  5F103RR10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 転写マスクの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-038965   出願人：ホーヤ株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-064369   出願人：ソニー株式会社
• 集積回路用バリア膜を作成するスパッタリング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-055550   出願人：アネルバ株式会社
• 半導体センサの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-194291   出願人：日本特殊陶業株式会社