特許

J-GLOBAL ID：200903053218404067

耐熱性樹脂前駆体、耐熱性樹脂及び絶縁膜材料並びに半導体装置

発明者： 石田 雄一 ,  榎 尚史
出願人/特許権者： 住友ベークライト株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-302665
公開番号（公開出願番号）：特開2003-105086
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2003年04月09日
要約：

【要約】【課題】樹脂前駆体の有機溶剤への溶解性を保持することで、加工性を維持すると共に、使用形態である閉環後の耐熱性を向上させ、また、電気特性、物理特性及び機械特性にも優れ、半導体の層間絶縁膜等の用途に適した樹脂を提供する。【解決手段】 一般式(A)で表わされる繰り返し単位を有するポリベンゾオキサゾール樹脂前駆体、及び該前駆体から、脱水縮合及び架橋反応を経てオキサゾール化して得られる、ポリベンゾオキサゾール樹脂を含む絶縁膜用材料、更には該絶縁膜用材料からなる絶縁膜を有する半導体装置。【化1】式中、m及びnは、その合計が2〜1000までを示し、かつ、次式を満たす整数である。0.05≦(m/(m+n))≦1

請求項（抜粋）：

一般式(A)で表わされる構造を有する、ポリベンゾオキサゾール樹脂前駆体。【化1】(但し、式中のm及びnは、m>0、n≧0、2≦m+n≦1000、及び0.05≦m/(m+n)≦1を満たす整数である。また、Xは、式(B)で表される基の中から選ばれ四価の基を示し、Yは、式(C)で表される基の中から選ばれる少なくとも1つの二価の基を示す。Zは、式(D)で表される基の中から選ばれる二価の基を示す。一般式(A)において繰り返し単位の配列は、ブロック的であってもランダム的であっても構わない。)【化2】【化3】【化4】【化5】(但し、式(B)及び式(D)中、X1は式(E)で表される基の中から選ばれる二価の基を示す。また、式(B),式(C),式(D),及び式(E)で表される基における、ベンゼン環上の水素原子は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、フッ素原子、及びトリフルオロメチル基の中から選ばれる、少なくとも1個の基で置換されていても良い。)

IPC (4件)：

C08G 73/22 ,  C08J 5/18 CFG ,  H01L 21/312 ,  C08L 79:04

FI (4件)：

C08G 73/22 ,  C08J 5/18 CFG ,  H01L 21/312 A ,  C08L 79:04

Fターム (64件)：

4F071AA58 ,  4F071AF06 ,  4F071AF13 ,  4F071AF39 ,  4F071AF40 ,  4F071AF45 ,  4F071AH12 ,  4F071AH13 ,  4F071AH16 ,  4F071BA02 ,  4F071BB02 ,  4F071BC02 ,  4J043PA04 ,  4J043PA08 ,  4J043PA09 ,  4J043PA19 ,  4J043PC015 ,  4J043PC016 ,  4J043PC145 ,  4J043PC146 ,  4J043QB15 ,  4J043QB34 ,  4J043RA06 ,  4J043RA52 ,  4J043SA06 ,  4J043SA71 ,  4J043SB01 ,  4J043TA12 ,  4J043TA47 ,  4J043UA121 ,  4J043UA131 ,  4J043UA151 ,  4J043UA152 ,  4J043UA162 ,  4J043UA171 ,  4J043UA172 ,  4J043UA181 ,  4J043UA261 ,  4J043UA262 ,  4J043UB011 ,  4J043UB012 ,  4J043UB121 ,  4J043UB122 ,  4J043UB301 ,  4J043UB302 ,  4J043VA021 ,  4J043VA022 ,  4J043VA031 ,  4J043VA032 ,  4J043VA061 ,  4J043VA062 ,  4J043VA071 ,  4J043VA072 ,  4J043YA06 ,  4J043ZA46 ,  4J043ZB11 ,  4J043ZB47 ,  4J043ZB50 ,  5F058AA10 ,  5F058AC10 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5F058AH03