特許

J-GLOBAL ID：200903053220023950

磁気薄膜/半導体ハイブリッド素子、該素子を用いたメモリ装置、及び情報読み出し方法

発明者： 西村 直樹
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-267469
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306377
出願日： 1999年09月21日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】【課題】 簡単な回路構成で高集積化が可能であり、安定に情報を記録/再生することができる磁気薄膜/半導体ハイブリッド素子を提供する。【解決手段】 磁気抵抗素子と、磁気抵抗素子の一端に直列に接続された抵抗器と、磁気抵抗素子と前記抵抗器との接続点にゲート電極が接続された電界効果トランジスタとを有するを有する構成であり、電界効果トランジスタには、定電圧源から負荷抵抗器を介して所定の直流電圧がドレインに供給される。また、電界効果トランジスタのソース電流が流れる電流路が磁気抵抗素子に近接して配置され、磁気抵抗素子に情報を記録するための書込み線が該電流路から構成される。

請求項（抜粋）：

磁気抵抗素子と、前記磁気抵抗素子の一端に直列に接続された抵抗器と、前記磁気抵抗素子と前記抵抗器との接続点にゲート電極が接続された電界効果トランジスタと、を有する磁気薄膜/半導体ハイブリッド素子。

IPC (3件)：

G11C 11/15 ,  G11C 11/14 ,  H01F 10/32

FI (3件)：

G11C 11/15 ,  G11C 11/14 A ,  H01F 10/32

Fターム (7件)：

5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049BA12