高周波用半導体パッケージの実装構造

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-326778
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163604
出願日： 1997年11月27日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】高周波信号の伝送損失が小さく、特性劣化も少なく伝送でき、実装部分での信号の反射等を抑制した伝送特性に優れた配線基板の実装構造を得る。【解決手段】誘電体基板2と蓋体3により形成されるキャビティ4内部に高周波用半導体素子5が搭載され、キャビティ4内部の誘電体基板2の表面に、半導体素子5と電気的に接続された第1の信号伝送線路7と、誘電体基板2の底面に第2の信号伝送線路8とを形成し、第1の信号伝送線路7と第2の信号伝送線路8を電磁結合させてなる高周波用半導体パッケージ1を、第2の信号伝送線路8に形成した接続部を介して外部回路基板10の配線層12に実装する実装構造であって、パッケージ1の第1の信号伝送線路7と第2の信号伝送線路8から形成される電磁結合領域に隣接する外部回路基板10表面に空洞部11を設ける。

請求項（抜粋）：

誘電体基板と蓋体により形成されるキャビティ内部に高周波用半導体素子が搭載され、前記キャビティ内部の前記誘電体基板の表面に、前記半導体素子と電気的に接続された第1の信号伝送線路と、前記誘電体基板の底面に第2の信号伝送線路とを形成し、前記第1の信号伝送線路と第2の信号伝送線路を電磁結合させてなる高周波用半導体パッケージを、前記第2の信号伝送線路の終端部に形成された接続部を介して外部回路基板の配線層に実装してなる実装構造であって、高周波用半導体パッケージの前記第1の信号伝送線路と第2の信号伝送線路から形成される電磁結合領域に隣接する前記外部回路基板表面に空洞部を設けたことを特徴とする高周波用半導体パッケージの実装構造。

IPC (3件)：

H01P 5/08 , H01L 23/12 301 , H01L 23/12

FI (4件)：

H01P 5/08 L , H01P 5/08 C , H01L 23/12 301 C , H01L 23/12 301 L

前のページに戻る