特許

J-GLOBAL ID：200903053228857604

Ag配線形成方法およびAg配線形成装置

発明者： 古谷 晃 ,  谷川 明男
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 舘野 千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-183481
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086275
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】 加工の困難なAgにおいて、少ない工数でAg配線を形成する方法を提供する。【構成】 基板上にハロゲン化Ag8を堆積し、次いで基板側が負となるようにバイアスを印加しながら単色光9を所定のパターンで照射する。照射部はAg12に変化するので、Ag12とハロゲン化銀8のエッチングレートの違いからハロゲン化銀8のみを選択的にエッチング除去することで、所定のパターンのAg配線が得られる。

請求項（抜粋）：

基板上にハロゲン化Agを堆積する工程と、基板側が負となるようにバイアスを印加しつつ前記ハロゲン化Agに所定の配線パターンで単色光を照射し、照射部をAgとする工程と、前記ハロゲン化Agを選択的にエッチング除去する工程と、基板を熱処理する工程とからなることを特徴とするAg配線形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/3213 ,  H05K 3/10

FI (2件)：

H01L 21/88 M ,  H01L 21/88 C