特許

J-GLOBAL ID：200903053229117167

半導体装置

発明者： 大井 健次
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-223580
公開番号（公開出願番号）：特開平7-079151
出願日： 1993年09月08日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：

【要約】【目的】高電圧電源のオフ時にも低圧電源がオンしており、高電圧電源で動作する第1のバッファから低電圧電源で動作する第2のバッファへ信号を送るようにした半導体装置において、半導体装置の出力レベルを不定にせずに保証する。【構成】入力端子61に印加された信号は、各バッファ62,63を介して内部回路53内へ送られる。入力側のバッファ62には高電圧電源(5V)から電源が供給され、出力側のバッファ63には低電圧電源(3V)から電源が供給されている。バッファ63の出力には、トランスミッションゲート11およびラッチ回路12が設けられている。トランスミッションゲート11は高電圧電源のオフ時に閉じる。

請求項（抜粋）：

第1の電源のオフ時にも第2の電源がオンしており、第1の電源で動作する第1のバッファ(62)から第2の電源で動作する第2のバッファ(63)へ信号を送るようにした半導体装置において、第2のバッファ(63)の出力側に、第1の電源のオフ時に遮断されるスイッチ(11)とラッチ回路(12)とを設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H03K 19/0175 ,  H03K 17/687 ,  H03K 17/73 ,  H03K 19/003

FI (3件)：

H03K 19/00 101 K ,  H03K 17/687 A ,  H03K 17/73 A