特許

J-GLOBAL ID：200903053233013392

ゲインコントロールアンプおよびこれを用いた光ディスク装置

発明者： 加藤 秀高 ,  宇野 慶生 ,  梅沢 篤史 ,  角南 和弥 ,  足立 稔 ,  木谷 朋文 ,  吉田 与子
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-053765
公開番号（公開出願番号）：特開2001-244764
出願日： 2000年02月29日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：

【要約】【課題】 差動アンプにおいて信号系とゲイン制御系とを分離した場合、ゲイン制御系に寄生の容量が付くことで、この寄生容量の影響によって周波数特性が悪化する。【解決手段】 この差動アンプ1で得た電流Δi1を扱う信号系(ベース接地トランジスタQ3,Q4)と、ゲインを制御するための制御電流Ixを扱う制御系(ベース接地トランジスタQ5,Q6)とを電流制御回路2に設け、信号系を通った電流Δi1に対して制御系を通った制御電流Ixを合成し、この合成電流をダイオードD1,D2で電圧に変換し、さらに出力回路3を通して出力電圧Voutとして導出する。

請求項（抜粋）：

所定の信号を差動入力とし、その差動入力に応じた電流を得る第1の回路と、前記第1の回路で得た電流を扱う信号系と、ゲインを制御するための制御電流を扱う制御系とを有し、前記信号系を通った電流に対して前記制御系を通った制御電流を合成して合成電流を得る第2の回路とを備えたことを特徴とするゲインコントロールアンプ。

IPC (2件)：

H03G 3/10 ,  G11B 20/10 321

FI (2件)：

H03G 3/10 B ,  G11B 20/10 321 A

Fターム (10件)：

5D044BC02 ,  5D044FG30 ,  5J100AA17 ,  5J100BA05 ,  5J100BB21 ,  5J100BC03 ,  5J100CA11 ,  5J100CA18 ,  5J100EA02 ,  5J100FA05