特許
J-GLOBAL ID:200903053237883189

半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 秋田 収喜
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-255980
公開番号(公開出願番号):特開2002-075940
出願日: 2000年08月25日
公開日(公表日): 2002年03月15日
要約:
【要約】【目的】 半導体素子形成面に保護用粘着テープを被覆し、半導体ウエハを薄加工する方法として、半導体ウエハ割れや欠けを発生させずに、半導体ウエハを薄仕上げ加工する半導体装置製造方法を提供する。【構成】 半導体素子が形成された半導体ウエハ主面に、熱収縮性両面粘着テープとガラス等の補強材を貼り付る。この状態で、半導体ウエハ裏面研削薄仕上げ加工し、熱収縮両面粘着テープに熱を作用させ、熱収縮両面粘着テープを熱収縮させる。この熱収縮両面粘着テープの熱収縮により、ガラス板の剥離と熱収縮両面粘着テープの剥離が行われる。
請求項(抜粋):
半導体ウエハの半導体素子形成面(以下、主面と称す)に半導体素子を形成する第1工程と、前記第1工程後、半導体ウエハ主面に、熱収縮性保護用の粘着テープを貼り付ける第2工程と、前記第2工程後、半導体ウエハ主面に貼り付けられた粘着テープに、補強材を貼り付ける第3工程と、前記第3工程後、半導体ウエハ裏面を加工処理する第4工程と、前記第4工程後に、前記粘着テープを熱収縮させて、前記粘着テープとこの粘着テープに貼り付けた補強材を除去する第5工程を有することを特徴とする半導体装置製造方法。
IPC (4件):
H01L 21/304 631 ,  H01L 21/304 621 ,  H01L 21/306 ,  H01L 29/417
FI (4件):
H01L 21/304 631 ,  H01L 21/304 621 B ,  H01L 21/306 B ,  H01L 29/50 U
Fターム (17件):
4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104FF02 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  5F043AA02 ,  5F043DD30 ,  5F043EE35 ,  5F043FF07 ,  5F043GG01 ,  5F043GG10

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