特許

J-GLOBAL ID：200903053239579452

薄形インダクタ/トランス

発明者： 谷川 健一 ,  片山 真吾 ,  田中 信嘉 ,  山田 孝夫
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 田村 弘明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-036769
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275247
出願日： 1992年02月24日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 絶縁基板上に、スパイラル状平面コイル、絶縁膜、磁性膜を積層することからなる薄形インダクタ/トランスにおいて、インダクタンスを高く、温度上を小さくする。【構成】 絶縁基板および/または絶縁膜に透磁率、飽和密度が大きい酸化物軟質磁性材料を適用する。また、磁性膜に電気抵抗が高く、電力損失の小さい酸化物軟質磁性材料を用いる。【効果】 スパイラル状平面コイルの中心部近傍および最外側部近傍での磁気抵抗が下がり、磁束密度が高まるため、インダクタンスが高くなる。また、磁性膜に金属軟質磁性材料の代わりに、酸化物軟質磁性材料を用いることにより、高周波での渦電流損失による発熱が小さく、温度上昇が小さくなる。

請求項（抜粋）：

酸化物軟質磁性材料(ソフトフェライト)の基板上に、スパイラル状平面コイル、絶縁膜、磁性膜を積層することからなる薄形インダクタ/トランス。

IPC (2件)：

H01F 27/28 ,  H01F 27/32