特許
J-GLOBAL ID：200903053244900706
半導体集積回路
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
玉村 静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-206457
公開番号（公開出願番号）：特開平5-028786
出願日： 1991年07月23日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的は、チャージポンプ回路の昇圧効率を向上させると共にチップ占有面積を小さくすることである。【構成】 耐圧上許容される範囲で、チャージポンプ回路130に含まれる初段からk段までのダイオード接続形式MOSトランジスタQC0〜QCKのゲート酸化膜14を、その後段のダイオード接続形式MOSトランジスタに比べて薄くする。基板効果によるVth落ちがちいさくなり、MOSトランジスタのスケーリングに伴って半導体基板若しくはウェル領域の不純物濃度が高くなっても内蔵チャージポンプ回路130による昇圧効率が向上する。初段からk段までの容量素子C1〜Ckのゲート酸化膜もその後段の容量素子よりも薄く構成し、それら容量素子C1〜Ckを小さくする。
請求項（抜粋）：
ゲート絶縁膜の厚さが相違される第1層目ゲート及び第2層目ゲートを含んで多数のMIS型トランジスタが形成された半導体集積回路であって、ダイオード接続形式のMIS型トランジスタを複数個直列接続した回路と、それらダイオード接続形式のMIS型トランジスタに一方の蓄積電極が接続された複数個の容量素子とを有し、直列接続された基端側のダイオード接続形式MIS型トランジスタに電圧を印加すると共に容量素子の他方の蓄積電極に位相のずれた信号を順次与えることによって容量素子を順次充電しながら終端側のダイオード接続形式MIS型トランジスタから昇圧電圧を得るチャージポンプ回路を含み、前記直列接続された回路の基端側に位置する単数若しくは複数個のダイオード接続形式MIS型トランジスタは第1層目と第2層目ゲートの内の相対的に薄いゲート絶縁膜を持つゲートで構成され、前記直列接続された回路の終端側に位置する単数若しくは複数個のダイオード接続形式MIS型トランジスタは第1層目と第2層目ゲートの内の相対的に厚いゲート絶縁膜を持つゲートで構成されて成るものであることを特徴とする半導体集積回路。
IPC (3件)：
G11C 16/06
, H01L 27/04
, H01L 27/115
G11C 17/00 309 D
, H01L 27/10 434
