特許

J-GLOBAL ID：200903053247240693

多層配線基板

発明者： 中村 良二 ,  富山 明俊
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-371646
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189558
出願日： 1999年12月27日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：

【要約】【課題】スルーホール内に充填される接続導体の亀裂を有効に防止し、かつ該接続導体の導電抵抗を低く抑えることができる多層配線基板を提供する。【解決手段】基板1の上面に、第1配線層2及び第2配線層3を間に絶縁層4を介して順次積層するとともに、前記第1配線層2及び第2配線層3を絶縁層4に設けたスルーホール5内の接続導体6により電気的に接続した多層配線基板において、前記接続導体6中に、酸化モリブデン微粒子7を0.3wt%〜7.5wt%だけ含有させる。

請求項（抜粋）：

基板の上面に、第1配線層及び第2配線層を間に絶縁層を介して順次積層するとともに、前記第1配線層及び第2配線層を絶縁層に設けたスルーホール内の接続導体により電気的に接続した多層配線基板において、前記接続導体中に、酸化モリブデン微粒子を0.3wt%〜7.5wt%含有させたことを特徴とする多層配線基板。

IPC (3件)：

H05K 3/46 ,  H05K 1/09 ,  H05K 1/11

FI (3件)：

H05K 3/46 N ,  H05K 1/09 B ,  H05K 1/11 N

Fターム (39件)：

4E351AA07 ,  4E351BB01 ,  4E351BB24 ,  4E351BB26 ,  4E351BB31 ,  4E351BB49 ,  4E351CC12 ,  4E351CC22 ,  4E351DD05 ,  4E351DD34 ,  4E351DD52 ,  4E351EE02 ,  4E351EE03 ,  4E351GG03 ,  5E317AA24 ,  5E317BB04 ,  5E317BB14 ,  5E317BB17 ,  5E317CC22 ,  5E317CC25 ,  5E317CD21 ,  5E317GG05 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA24 ,  5E346AA43 ,  5E346BB01 ,  5E346CC17 ,  5E346CC18 ,  5E346CC31 ,  5E346CC35 ,  5E346CC39 ,  5E346EE21 ,  5E346FF18 ,  5E346GG02 ,  5E346GG06 ,  5E346GG09 ,  5E346HH07 ,  5E346HH11