特許

J-GLOBAL ID：200903053248211328

エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置

発明者： 市川 功
出願人/特許権者： 東芝ケミカル株式会社
代理人 (1件)： 諸田 英二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-074430
公開番号（公開出願番号）：特開平10-251489
出願日： 1997年03月11日
公開日（公表日）： 1998年09月22日
要約：

【要約】【課題】 成形性、半田耐熱性に優れ、低粘度で薄型パッケージなどの充填性に優れ、吸湿による影響が少なく、電極の腐蝕による断線や水分によるリーク電流の発生を低減するエポキシ樹脂組成物及び半導体封止装置を提供する。【解決手段】 (A)ビフェニル型エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)次の一般式で示されるチタネート系カップリング剤、(D)最大粒径100 μm以下の溶融シリカ粉末および(E)硬化促進剤を必須成分とし、全体の樹脂組成物に対して前記(D)の溶融シリカ粉末を25〜90重量%の割合で含有してなるエポキシ樹脂組成物であり、またこの組成物の硬化物によって、半導体チップが封止されてなる半導体封止装置である。

請求項（抜粋）：

(A)次式で示されるビフェニル型エポキシ樹脂、【化1】(B)フェノール樹脂、(C)次の一般式で示されるチタネート系カップリング剤、【化2】(但し、式中R1 ,R2 はアルキル基を表す)(D)最大粒径100 μm以下の溶融シリカ粉末および(E)硬化促進剤を必須成分とし、全体の樹脂組成物に対して前記(D)の溶融シリカ粉末を25〜90重量%の割合で含有してなることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。

IPC (5件)：

C08L 63/00 ,  C08G 59/62 ,  C08K 5/56 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (4件)：

C08L 63/00 C ,  C08G 59/62 ,  C08K 5/56 ,  H01L 23/30 R