ワイドビューアングル液晶ディスプレイの電極構造の製作方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川洋 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-022011
公開番号（公開出願番号）：特開2001-083540
出願日： 2000年01月31日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】開口透光率が高く、断線及び電荷残留に対して許容度が大きいワイドビューアングル液晶ディスプレイを提供する。【解決手段】ガラス基板上層表面の上方に複数のスキャン信号ライン、複数の資料信号ラインと複数のスイッチデバイス、及びそれぞれが独立した複数の画素電極301,302が設けられる。スキャン信号ライン区域303と資料信号ライン区域304はお互いに垂直に排列され、画素マトリックスを定義する。この基板上を隔離絶縁層でカバーし、基板上方に共電極層を形成し、その中、各画素に対して、スキャン信号ライン区域と資料信号ライン区域の交叉する附近にスイッチデバイスである薄膜トランジスタ305を設ける。このスイッチデバイス305のゲートはスキャン信号ライン区域に連接し、ドレインは資料信号ライン区域に連接し、画素電極はこのスイッチデバイスのソースに連接する。

請求項（抜粋）：

スキャン信号ラインと、上記スキャン信号ラインと垂直な資料信号ラインと、上記スキャン信号ラインと上記資料信号ラインで定義された画素区域と、上記画素区域内の画素電極と、上記資料信号ラインと平行で、上記スキャン信号ライン上まで伸びる複数の共電極とから製作し、上記共電極の少なくとも一部は、上記画素電極上にあることを特徴とするワイドビューアングル液晶ディスプレイの電極構造の製作方法。

IPC (4件)：

G02F 1/1343 , G02F 1/1368 , G09F 9/00 338 , G09F 9/30 330

FI (4件)：

G02F 1/1343 , G09F 9/00 338 , G09F 9/30 330 Z , G02F 1/136 500

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