特許
J-GLOBAL ID：200903053263217588
発振回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-143089
公開番号（公開出願番号）：特開平7-007325
出願日： 1993年06月15日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：
【要約】【目的】広範囲の電源電圧において動作可能で、低消費電流の半導体集積回路による発振回路を実現する。【構成】Pチャネル・インハンスメントMOS型トランジスタ2と、Nチャネル・ディプリーションMOS型トランジスタ1により形成される電流源と、Pチャネル・インハンスメントMOS型トランジスタ2とカレントミラー回路を形成するPチャネル・インハンスメントMOS型トランジスタ3と、Nチャネル・インハンスメントMOS型トランジスタ4により形成される電流源と、Pチャネル・インハンスメントMOS型トランジスタ5、Pチャネル・インハンスメントMOS型トランジスタ6、Nチャネル・インハンスメントMOS型トランジスタ7と、Nチャネル・インハンスメントMOS型トランジスタ8とにより形成されるインバータ40と、外部端子20と21の間に接続される抵抗素子9とを少なくとも半導体集積回路内に備えて構成される。
請求項（抜粋）：
ソースが電源に接続され、ゲートとドレインが連結される第1のPチャネル・インハンスメントMOS型トランジスタと、ドレインが前記第1のPチャネル・インハンスメントMOS型トランジスタのドレインに接続され、ゲートとソースが接地電位に接続されるNチャネル・ディプリーションMOS型トランジスタとにより形成される第1の電流源と、ソースが電源に接続され、ゲートが前記第1のPチャネル・インハンスメントMOS型トランジスタのゲートに接続され、当該第1のPチャネル・インハンスメントMOS型トランジスタとカレントミラー回路を形成する第2のPチャネル・インハンスメントMOS型トランジスタと、ドレインおよびゲートが連結されて前記第2のPチャネル・インハンスメントMOS型トランジスタのドレインに接続され、ソースが接地電位に接続される第1のNチャネル・インハンスメントMOS型トランジスタとにより形成される第2の電流源と、ソースが電源に接続され、ゲートが前記第2のPチャネル・インハンスメントMOS型トランジスタのゲ-トに接続される第3のPチャネル・インハンスメントMOS型トランジスタと、ソースが前記第3のPチャネル・インハンスメントMOS型トランジスタのドレインに接続され、ゲートが第1の外部端子を介して水晶発振子の一端に接続されて、ドレインが第2の外部端子を介して前記水晶発振子の他端に接続される第4のPチャネル・インハンスメントMOS型トランジスタと、ドレインが前記第4のPチャネル・インハンスメントMOS型トランジスタのドレインに接続され、ゲートが前記第4のPチャネル・インハンスメントMOS型トランジスタのゲートに接続される第2のNチャネル・インハンスメントMOS型トランジスタと、ドレインが前記第2のNチャネル・インハンスメントMOS型トランジスタのソースに接続され、ゲートが前記第1のNチャネル・インハンスメントMOS型トランジスタのゲ-トに接続されて、ソースが接地電位に接続される第3のNチャネル・インハンスメントMOS型トランジスタとにより形成されるインバータと、前記第1および第2の外部端子との間に接続される抵抗素子と、を少なくとも半導体集積回路内に備えることを特徴とする発振回路。
引用特許：
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