特許

J-GLOBAL ID：200903053264379549

半導体発光ダイオード

発明者： 中村 薫 ,  柴田 憲治
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-233553
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050792
出願日： 2000年08月01日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：

【要約】【課題】 上部電極による光の損失がなく、かつ発光層全体に電流が充分供給されるために、高い発光輝度が得られる、エピタキシャル半導体発光ダイオードを提供すること。【解決手段】 導電性基板と、エピタキシャル成長させた半導体発光層と、金属電極とを有する半導体発光ダイオードにおいて、半導体発光層から生じた光が金属電極で反射され、金属電極で反射された光が外部に向かうように金属電極を配置する。例えば、金属電極面を発光層に対し45度に傾斜させる。

請求項（抜粋）：

基板上にエピタキシャル成長により成長した半導体発光層と、この半導体発光層の、前記基板の反対側に設けた金属電極を有する、半導体発光ダイオードにおいて、前記金属電極は光反射性を有し、前記半導体発光層から生じた光を反射して、所定の出射方向に出射させるように配置されていることを特徴とする、半導体発光ダイオード。

FI (2件)：

H01L 33/00 A ,  H01L 33/00 E

Fターム (6件)：

5F041AA03 ,  5F041CA12 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041CA99 ,  5F041CB15