特許
J-GLOBAL ID：200903053266474557
レーザ材料の製造方法
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
山本 亮一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-217133
公開番号（公開出願番号）：特開平9-067196
出願日： 1995年08月25日
公開日（公表日）： 1997年03月11日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 本発明はPrフッ化物ファイバ励起用の1.03μm帯の固体レーザポンプ光源として有用とされるレーザ材料の製造方法の提供を目的とするものである。【解決手段】 本発明のレーザ材料の製造方法は、式 (Gd<SB>1-a-b-c</SB>Nd<SB>a</SB>Yb<SB>b</SB>N<SB>c</SB>)<SB>3</SB>(Ga<SB>1-d</SB>M<SB>d</SB>)<SB>5</SB>O<SB>12</SB>(ここにNはCa、LaまたはLu、MはMgまたはZrの元素、a、b、c、dは0.02≦a≦0.7 、0.02≦b≦0.7 、0≦c≦0.96、0.04≦a+b+c<1、0≦d≦0.5 の数で示される)で示されるNdYbコドープガーネット単結晶からなるレーザ材料を、ガドリニウム・ガリウム・ガーネット単結晶基板上に液相エピタキシャル法で成長させる際のガーネット単結晶の膜厚を 300μm以上とし、かつこのガーネット単結晶の成長速度を0.15〜0.34μm/分の範囲とすることを特徴とするものである。
請求項（抜粋）：
式 (Gd<SB>1-a-b-c</SB>Nd<SB>a</SB>Yb<SB>b</SB>N<SB>c</SB>)<SB>3</SB>(Ga<SB>1-d</SB>M<SB>d</SB>)<SB>5</SB>O<SB>12</SB>(ただし、式中のNはCa、LaまたはLuから選択される少なくとも1種類の元素、MはMgまたはZrから選択される少なくとも1種類の元素、0.02≦a≦0.7 、0.02≦b≦0.7 、0≦c≦0.96、0.04≦a+b+c<1、0≦d≦0.5 )で示されるガーネット単結晶からなるレーザ材料の製造方法において、単結晶基板上に液相エピタキシャル法によって成長させる際の該ガーネット単結晶の膜厚を 300μm以上とし、かつ該ガーネット単結晶の成長速度を0.15μm/分〜0.34μm/分の範囲とすることを特徴とするレーザ材料の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/28
, C30B 19/00
, H01S 3/16
C30B 29/28
, C30B 19/00 S
, H01S 3/16
