特許

J-GLOBAL ID：200903053267893898

ガスセンサー用半導体及びガスセンサー用半導体の製造方法

発明者： 岩本 修 ,  三井 雄治 ,  北村 文孝
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-015529
公開番号（公開出願番号）：特開平7-225208
出願日： 1994年02月09日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：

【要約】【目的】 酸化インジウム半導体を感ガス体として使用するガスセンサーにおいて、該ガスセンサーの各種ガスに対する感度向上を図る。【構成】 アルミニウムまたは酸化アルミニウムを添加した酸化インジウム半導体及び酸素ガス雰囲気中で酸化インジウムとアルミニウムを蒸着することを特徴とする酸化インジウム半導体の製造方法。

請求項（抜粋）：

被検ガス雰囲気下で抵抗変化を発現しガスを検知するガスセンサー用半導体において、該半導体が酸化インジウムにアルミニウムを添加したものであることを特徴とするガスセンサー用半導体。