特許
J-GLOBAL ID：200903053268278437
回路基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-171463
公開番号（公開出願番号）：特開平8-037358
出願日： 1994年07月22日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：
【要約】【目的】比較的小径のスルーホールが設けられる回路形成用基板においても、高精度で且つ信頼性の高い回路パターンを簡易に形成することが可能な回路基板の製造方法を提供する。【構成】両面に導電層2を有する絶縁基板1であって、該導電層2と絶縁基板1とを貫通するスルーホール用貫通孔3を有し、該スルーホール用貫通孔3の内壁に、上記絶縁基板の両面に存在する導電層を電気的に接続する導通用導電層5を有し、且つ該スルーホール用貫通孔に、その端面が該絶縁基板表面に存在する導電層とほぼ同一平面となるように絶縁物質4を充填して構成された回路形成用基板の表面に、フォトレジスト膜6を電着法により形成した後、該フォトレジスト膜を露光、現像することによりエッチング用レジストパターン7を形成する工程を含む回路基板の製造方法である。
請求項（抜粋）：
両面に導電層を有する絶縁基板よりなり、該導電層と絶縁基板とを貫通するスルーホール用貫通孔を有し、該スルーホール用貫通孔の内壁に、上記絶縁基板の両面に存在する導電層を電気的に接続する導通用導電層を有し、且つ該スルーホール用貫通孔に、その端面が該絶縁基板表面に存在する導電層とほぼ同一平面となるように絶縁物質を充填して構成された回路形成用基板の表面に、フォトレジスト膜を電着法により形成した後、該フォトレジスト膜を露光、現像することによりエッチング用レジストパターンを形成する工程を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
IPC (2件)：
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